多結晶シリコン薄膜電池は単結晶シリコンに比べてシリコンの使用量がはるかに少ないため、効率低下の問題がありません。また、安価な基板材料で作製することが可能であり、そのコストは単結晶シリコン電池よりもはるかに低く、その効率はアモルファスシリコン薄膜電池よりも高い。したがって、ポリシリコン薄膜電池は間もなく、世界の主流の地位を占めることになるでしょう。 バッテリーバックアップソーラー 市場。次に、ポリシリコン薄膜の詳しい紹介を見ていきましょう。 高電圧太陽電池.
• 貴重な高電圧太陽電池になります。
• 高電圧太陽電池の変換効率が向上します。
通常の結晶シリコン 高電圧太陽電池 厚さ350～450の高品質シリコンウェハーで作られています。 μm、引抜きまたは鋳造されたシリコンインゴットから切断されます。したがって、より多くのシリコン材料が消費される。材料を節約するために、1970 年代半ばからポリシリコン膜が安価な基板上に堆積されてきました。ただし、成長したシリコン膜の粒径により、貴重な 高電圧リチウム電池 生産できなかった。粒子サイズの大きな薄膜を得るために、人々は研究を止めず、多くの方法を提案してきました。現在、多結晶シリコン薄膜電池の作製には、低圧化学気相成長法 (LPCVD) やプラズマ化学気相成長法 (PECVD) プロセスなどの化学気相成長法が主に使用されています。さらに、液相エピタキシー (LPPE) およびスパッタリング堆積法も、多結晶シリコン薄膜電池の製造に使用できます。
化学気相成長では、主に反応ガスとして SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4、または SiH4 を使用し、一定の保護雰囲気中で反応してシリコン原子を形成し、加熱された基板上に堆積します。基板材料としては、Si、SiO2、Si3N4などが一般的ですが、非シリコン基板上では大きな結晶粒を形成することが難しく、結晶粒間に空隙が生じやすいことが研究の結果わかっています。この問題を解決する方法は、LPCVD を使用して、最初に基板上にアモルファス シリコン層の薄層を堆積し、次にこの層をアニールすることです。 の より大きな粒子を得るためにアモルファスシリコン層を形成します。次に、厚いポリシリコン膜がこのシード上に堆積されます。したがって、再結晶技術は間違いなく非常に重要なリンクです。現在使用されている技術には、主に固相結晶化と中帯域溶融再結晶化が含まれます。再結晶化プロセスに加えて、多結晶シリコン薄膜電池が使用されます。さらに、単結晶シリコン高電圧太陽電池の製造技術をほぼすべて採用しており、変換効率が高くなります。 高電圧 太陽電池 この方法で生産されると大幅に改善されます。
液相エピタキシー（LPE）法の原理は、マトリックス中のシリコンを溶かし、温度を下げてシリコン膜を析出させることです。中国オプトエレクトロニクス開発技術センターは、液相エピタキシーを使用して、冶金グレードのシリコン ウェーハ上にシリコン粒子を成長させます。そして新しいタイプのを設計しました 高電圧太陽電池 「シリコン粒子」と呼ばれる結晶シリコン薄膜高電圧太陽電池に似ています。 LFPエネルギー貯蔵。ただし、パフォーマンスレポートはまだ見られていません。
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